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Transistor AL112 al germanio

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Type Transistor Germanium PNP Manufacturer ST Microelectronics - STM Case SOT9 Vbr CBO 130 Vbr CEO 60 Max. PD (W) 10 Max. hFE 200 Min hFE 20 Ic Max. (A) 6.0 @Ic (test) (A) 500m Icbo Max. @Vcb Max. (A) 10m Polarity PNP Derate Above 25°C 250m Trans. Freq (Hz) Min. 3.0M Oper. Temp (°C) Max. 100 @VCE (V) 2.0 Pinout Equivalence Number 3-14 Surface Mounted Yes/No NO Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 10 W Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 35 V Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 20 V Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 2 V Maximum Collector Current |Ic max| 4 A Max. Operating Junction Temperature (Tj) 100 °C Transition Frequency (ft): 2 MHz Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 40

  • Riferimento
    Transistor AL112 al germanio
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  • Codice a barre UPC
    960152600704
  • ean13
    3001526008140

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